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Intel 3D XPoint闪存终于揭秘了:20nm制程工艺

Intel、美光发布3D XPoint闪存已经一年多了,号称性能、可靠性是NAND闪存1000倍,容量密度是后者10倍,各种黑科技秒杀当前闪存水平。从去年底开始有少量基于3D XPoint闪存Optane硬盘问世,消费级容量是16/32GB,企业级有个375GBDC P4800X系列,随机性能确实很强大。

不过Intel迄今为止都没有公布过3D XPoint闪存技术内幕,好在现在可以确定一点了,那就是375GBDC P4800X硬盘使用是20nm工艺。

Intel当年发布3D XPoint闪存之后并没有透露该技术细节,只说它是不同于NAND闪存新型存储技术,性能、可靠性及密度全面领先当前NAND产品。Intel不公开技术内幕大概是为了保密,业界早前也在猜测3D XPpint闪存有可能是基于PCM相变技术,也有说是ReRAM技术,只是这些都无法证实。

现在Computerbase网站论坛有人爆料了DC P4800X硬盘PCN通知书,里面提到了它是基于20nm工艺,只是Intel以往PCN通知都是公开,但这次需要授权用户登录才能看到,所以普通人也无法查阅具体细节了。

Intel使用20nm工艺制造3D XPoint闪存也不算意外,虽然在进入3D闪存之后厂商就很少公布具体制程工艺了,大多时候只公布堆栈层数,不过大部分3D闪存使用制程工艺都不会很先进,三星早期V-NAND闪存使用还是40nm工艺,几年前制程工艺了,听上去落后,但实际上是好事,因为提升密度可以靠对堆栈层数,更“落后”工艺往往有更好可靠性。

Intel 3D XPoint闪存终于揭秘了:20nm制程工艺

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P70系列延期,华为新旗舰将在下月发布

3月20日消息,近期博主@数码闲聊站 透露,原定三月份发布的华为新旗舰P70系列延期发布,预计4月份上市。

而博主@定焦数码 爆料,华为的P70系列在定位上已经超过了Mate60,成为了重要的旗舰系列之一。它肩负着重返影像领域顶尖的使命。那么这次P70会带来哪些令人惊艳的创新呢?

根据目前爆料的消息来看,华为P70系列将推出三个版本,其中P70和P70 Pro采用了三角形的摄像头模组设计,而P70 Art则采用了与上一代P60 Art相似的不规则形状设计。这样的外观是否好看见仁见智,但辨识度绝对拉满。