前言
虚空之眼在6.9得到加强后,在6.10版本继续加强,提高了它的AP加成,输出伤害一路飙升,位居中单伤害榜第三;前段时间我们讲到了死歌在6.9中的爆炸输出,今天小编为大家带来中单虚空之眼的一些使用技巧。
6.10技能改动
被动 有机体解构
法术强度加成由0.4提高到0.5。
R 生命形态瓦解射线
法术强度加成由1.0提高到1.25。
美服数据
↑美服虚空之眼版本胜率
↑美服中单输出伤害排行榜
天赋符文
红色:法穿X9
蓝色:成长冷却X9
黄色:成长生命X9
精华:法强X3
18-12-0天赋在凶猛系列点出冥火之触,虽说带雷霆在前期线上对对手拥有极大的压制力,但是6.10版本加强了被动和大招的AP加成,所以我们所选择的天赋,更倾向于大招持续性输出;吸血和盛宴增加了续航能力。
召唤师技能
召唤师技能根据自己的打法特点选择:闪现+
点燃:偏向技能连招输出。
虚弱:防敌方突进、刺客。
净化:解关键性硬控,提高生存率。
屏障:用于对拼,防止高爆发技能。
传送:支援、快速回线发育。
技能加点
1级学Q,2级学W,3级学E,主W副Q,之后就有大点大的加点。
分析:W两段伤害是主要输出,Q用于前期对线消耗,前期只用学1级E,用于保命和起手接W两段打出被动效果。
出装选择
出门:
常规的AP出门装,由于Q技能的改动可以回蓝,前期在中路对线并不是很缺蓝,出门带多兰戒撑血。
核心装备:
如果平稳发育的在中期在中期出到这三个大件的时候,代表它的输出已经达到了相当可观的一个状态,冰杖配大面具的经典组合在粘人消耗方面都有着出色的一面
后期成型:
如果对方刺客多则可以把帽子换成中娅
真实伤害的改动,使得它有足够的能力对抗敌方前排坦克英雄。虚空之眼的技能AP加成一般,法强所带来的收益不明显,我们应该优选择出法穿棒和法穿鞋。如果对方刺客英雄比较强势而我方控制少不能限制对方突进的话,建议早点做出中娅,防止被突脸。
单人对线打法
1级点出Q技能,在对线时候利用Q技能对敌人进行消耗(下文会讲到Q技能的使用技巧)当有W和E技能之后,利用对方补兵的停顿时间,利用E技能进行干扰走位,当判断地方即将中E技能的时候,配合W技能打出一套伤害。虚空之眼的弹道速度比较快,补兵很顺畅,利用自己优秀的弹道和W的高伤害,确保前期自己的经济稳定发育,E中人就W消耗,到6级之后可以利用EWR的连招,将半血的敌人击杀,但是首先要确保对方有没有位移技能。
但是要注意的一点是,W清兵很快,兵线很容易过去,这时候就要小心地方打野的照顾。
同时也要注意保留自己的E技能,当敌方近身的时候,用E技能保命是非常关键的一点。
支援GANK
当地方英雄在中路消失的时候,我们可以判断他是否在泉水或者是去协助他们的打野去抓我方的队友,这个时候我们要做的就是赶紧用两段W清理兵线,然后观察上下路的兵线以及敌我双方的状态,从而进行支援。
支援的时候一定要隐藏自己的位置,留着E技能,等待对方进入可击杀范围或者拯救被追击的队友。
团战打法
1、Q作为消耗性技能,开团之前不断用Q技能进行消耗。
2、如果队友被开团,则用E技能断后。
3、如果自己被开,用E限制敌方的继续追击。
4、自己也可以作为团战的发起者,抓住敌方C位的走位失误,E技能掌握时机进行封位或是击飞,配合队友进行击杀。
5、当团战爆发后,确保自身的位置安全,利用远距离的优势,将EWQ技能输出跟上,同时找好位置开启大招,最好R的伤害能够打到敌方后排C位。并且也要注意敌方突脸英雄的袭击,利用好自己的E技能进行自我的保护。
中单虚空之眼在团战中的定位就是保证自身安全的情况下,打出所有的爆发技能伤害,同时利用大招尽可能打出全部的伤害。
Q技能技巧
虚空之眼的技能释放都很简单,但是Q技能的使用,稍微需要一点物理的技巧,我们先来看它的原理。
Q在释放之后,在飞行过程中,再次触发会有一个分裂爆开的效果
也就是说当敌人处于图中
直线两边任意位置时,可以预判敌人下一步的走位进行二次释放(释放的时候分裂出的伤害会有一段飞行的时间,需要预判敌人下一步的走位)。
如果敌人前方有小兵阻挡,可以从侧面进行消耗。
通过侧方位的Q,用二段释放的Q技能,消耗敌人。
Q的释放距离是1500码,这个时候我们发现是不能够打中敌人的。
换个角度。
分析:如果在直线距离不够的情况下,我们换个角度从侧面出Q,可以有效延长Q的攻击距离(网上称这个技巧叫:90度Q)。
常见连招
E—W—Q—R
这套连招比较中规中矩,利用的是E中后的击飞时间,打出W的两段伤害,Q技能减速,使R得伤害能够尽可能最大化。
使用时机
1、抓住敌方走位的失误。
2、对线期间抓住敌方补兵时的停顿。
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RTX 5090要首发 性能要翻倍!三星展示GDDR7显存
三星在GTC上展示了专为下一代游戏GPU设计的GDDR7内存。
首次推出的GDDR7内存模块密度为16GB,每个模块容量为2GB。其速度预设为32 Gbps(PAM3),但也可以降至28 Gbps,以提高产量和初始阶段的整体性能和成本效益。
据三星表示,GDDR7内存的能效将提高20%,同时工作电压仅为1.1V,低于标准的1.2V。通过采用更新的封装材料和优化的电路设计,使得在高速运行时的发热量降低,GDDR7的热阻比GDDR6降低了70%。